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高端存储器研发再获突破 集成电路国产化进程加快

  近日,长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展,32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

  存储器作为我国集成电路支柱产业,目前主要依赖进口,我国对DRAM和NAND Flash产品需求占全球消费量的比例超过20%。同时,存储器也是半导体产业资本支出最高的领域,占整个行业的38%。

  3D NAND作为一种创新的半导体存储技术,通过增加存储叠层实现存储密度增长,拓宽了存储技术的发展空间,但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。目前在3D NAND领域,三星量产了48层产品,64层和90层产品正在研发中。在大数据需求快速增长的驱动下,存储器芯片已成为电子信息领域市场份额最大的集成电路产品,潜在市场空间巨大。

  为加快存储器国产化进程,国家半导体基金对该领域的投资力度加大。去年12月由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新600133)区正式动工建设,该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片。据了解,该项目将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash Fab厂房,一期项目计划2018年建成投产,到2020年完成整个项目,该项目总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

  存储芯片作为集成电路的三大品类之一,目前广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域,其销售额占整个芯片产业的比重超过25%。赛迪顾问数据显示,2014 年我国存储芯片市场规模达到2465.5亿元,占国内集成电路市场份额的23.7%,国内存储芯片基本依靠进口,每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。从市场份额占比来看,截至去年第三季度,三星电子在全球DRAM存储器领域的份额达到50.2%,SK海力士占24.8%的份额。在NAND Flash领域,三星电子的全球市场份额为36.6%,SK海力士占10.4%的份额。

  在政策大力扶持和国家科技重大专项的引领下,我国存储器产业将步入快速扩容期,并带动半导体设备及材料产业发展。国际半导体协会(SEMI)公布的2016年和2017年全球新建晶圆厂超过19座,其中有10座建于我国。按照政策目标,我国集成电路市场规模占全球60%,但自给率仅为27%,到2020年芯片自给率要达到40%。随着存储器技术的不断突破将带动材料设备和封测产业快速增长,国产化进程有望加快。

 

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