半导体材料前驱体，引领薄膜沉积工艺新篇章

2024-04-16 14:17:25 来源：阿石创官微作者：阿石创

　　半导体前驱体是气相沉积过程中不可或缺的关键材料，广泛应用于化学气相沉积（CVD）及原子层气相沉积（ALD）等镀膜过程。可用于半导体制程中高K金属栅极薄膜沉积、阻挡层沉积以及金属互连层沉积等关键薄膜沉积环节，随着集成电路尺寸的缩小，ALD工艺将发挥越来越大的作用，ALD前驱体材料市场将逐渐扩大。阿石创（300706）此次推出的前驱体产品，经过精心设计和优化，能够满足半导体制造过程中对薄膜材料的高标准需求。

　　阿石创在前驱体产品的生产过程中，采用了先进的无水无氧连续合成技术以及装备，包括串联釜式高压反应器、动态管式反应器、震荡流反应器、连续离心过滤设备等，配合手套箱以及密封良好的进出料系统，做到全程无水无氧反应，确保产品质量的稳定性和可靠性。此外，公司还运用了高效分离技术，如连续离子交换吸附装置、高真空无水无氧精馏系统、连续无水无氧升华提纯装置等，以进一步提高产品的纯度和性能。

　　值得一提的是，阿石创还拥有国内领先的高纯有机金属检测中心以及高纯材料沉积镀膜应用研究中心。该中心配备了色谱质谱、核磁、光谱、ICP-MS-MS、ICP-OES、SEM、TEM、XRD、椭偏仪、台阶仪等先进的分析测试设备，能够对高纯材料和镀膜进行有效的定性定量、结构表征以及痕量元素的检测。同时，公司还拥有ALD等精密沉积设备，能够满足客户对前驱体材料镀膜过程的应用开发与工艺优化，为企业解决实际问题提供有力支持。

　　阿石创将有力推动半导体制造技术的进步，提升薄膜沉积工艺的效率和质量，为半导体产业的持续发展注入新的动力。

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