台积电宣布背面供电版 N2 制程 2025 下半年向客户推出,2026年量产
台积电在近日公布的2023年报中表示,其背面供电版N2制程节点定于2025下半年向客户推出,2026年实现正式量产。
台积电表示其N2制程将引入其GAA技术实现——纳米片(Nanosheet)结构,在性能和能效方面都提升一个时代,预计于2025年启动量产。
而引入背面电轨(Backside Power Rail)方案的N2衍生版本“最适用于高效能运算相关应用”,将在标准版N2后投入商用。
传统芯片采用自下而上的制造方式,先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的收缩,传统供电模式的线路层越来越混乱,对设计与制造形成干扰。
背面供电将芯片供电网络转移至晶圆背面,可简化供电路径,解决互连瓶颈,减少供电对信号的干扰,最终可降低平台整体电压与功耗。
台积电在先进制程代工领域的两大对手也在积极布局背面供电技术。
其中英特尔将在今年上半年的Intel20A节点导入背面供电;另据IT之家以往报道,三星也有望在2025年的SF2节点应用此技术。
换句话说,2nm制程将成为背面供电进入商业应用的标志节点。
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