2025年9月11日，甬兴证券发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，现货市场整体价格趋稳，NAND产能加速切换。

　　报告具体内容如下：

　　核心观点 NAND：CFM称原厂NAND产能加速切换。根据DRAMexchange，上周（20250901-0905）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.97%至6.14%，平均涨跌幅为-0.03%。其中12个料号价格持平，5个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，随着原厂NAND产能加速切换至新制程，旧制程产出明显缩减，尤其是256GbTLCNAND供应大幅减少，推动其现货价格逐渐上扬。与此同时，新旧制程的切换下令高容量NAND供应较为充足，使得1TbQLC/TLCFlashWafer价格出现向下调整。

DRAM：TrendForce：Q2DRAM整体营收为316.3亿美元，环比增长17.1%。根据DRAMexchange，上周（20250901-

0905）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.24%至2.76%，平均涨跌幅为0.68%。上周13个料号呈上涨趋势，4个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据科创板日报报道，TrendForce集邦咨询表示，2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM（ConventionalDRAM）合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。平均销售单价（ASP）随着PCOEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温，加速DRAM原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。

HBM：SK海力士称预计到2030年定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。根据CFM闪存市场报道，SK海力士预计到2030年定制HBM市场规模将增长到数百亿美元。由于SK海力士和三星、美光等竞争对手采用不同的技术构建下一代HBM4，HBM4产品包括客户特定的逻辑芯片或“基础芯片”，有助于管理内存。

市场端：渠道DDR5内存条价格继续小幅上涨，存储现货市场整体价格趋稳。根据CFM闪存市场报道，渠道市场在DDR5资源供应趋紧且价格居高不下等因素影响下，上周DDR5内存条继续小幅上调报价；而渠道DDR4则处于高位横盘。值得注意的是，经历超过一季度的涨价行情，渠道DDR4和DDR5之间的价差迅速缩小，部分同容量DDR4、DDR5UDIMM价差已缩小至20%以内，不过，目前渠道内存条仍以DDR4为基本盘，DDR5应用比重有待提升。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份（603283）、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新（603986）、恒烁股份、佰维存储、江波龙（301308）、德明利（001309）等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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