2026年1月5日，中银证券（601696）发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，长鑫科技披露招股书，兆易创新（603986）登陆H股在即，国产DRAM供应链再提速。

　　报告具体内容如下：

　　2025年12月30日晚，长鑫科技首次披露招股说明书，同时，兆易创新公告港股IPO最新进度。我们认为伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商融资进程提速，产业链有望实现加速成长，给予行业强于大市的评级。 支撑评级的要点 长鑫科技披露招股书，拟募集295亿人民币，加速登陆资本市场。长鑫科技本次科创板IPO拟募集资金高达295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。公司产能规模已位居中国第一、全球第四，但距离DRAM行业前三家国际头部厂商仍有一定差距，且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进，公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，更强的市场竞争力及盈利能力，更有效地满足未来全球下游市场旺盛的需求，助力公司在全球DRAM市场中占据更有利的地位。 海外原厂退出DDR4+AI需求提振，DRAM市场景气持续攀升，长鑫科技预计2025年首度实现扭亏为盈。根据新浪财经，从DRAM市场来看，2025年由于三大DRAM原厂计划逐步停产DDR4，并持续将产能转向利润率更高的面向AI数据中心应用的HBM和DDR5等产品，DDR4相关产品供应紧缺，2025年全球DRAM市场持续供不应求、价格普涨。步入2026年，DRAM合约价格或依旧处于上涨态势，市场供需结构仍处于高度紧绷状态。随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，以及AI驱动2025年下半年以来产品价格的快速上涨，长鑫科技预计2025年营收为550-580亿元，净利润首度实现扭亏为盈，预计为20-35亿元。依此计算，长鑫科技预计在25Q4将实现营收229-259亿元，盈利80-95亿元，彰显AI新周期下存储业绩弹性。

兆易创新公告披露港股IPO进度，开拓全球化融资渠道。公司本次全球发售H股基础发行股数为2891.58万股，其中初步安排香港公开发售289.16万股，约占全球发售总数的10%，国际发售2602.42万股，约占全球发售总数的90%。公司本次H股发行的价格区间初步确定为132-162港元，若以顶格定价计算，本次IPO将募集资金总额最高达约46.84亿港元，兆易创新H股预计于2026年1月13日在香港联交所挂牌并开始上市交易，全球化融资渠道徐徐铺开，利基DRAM及定制化存储再迎新发展机遇。

投资建议

我们认为伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长，建议关注如下：【设备】：中微公司、拓荆科技、北方华创（002371）、迈为股份（300751）、精智达、中科飞测、盛美上海；【材料】：深南电路（002916）、华海诚科、联瑞新材、雅克科技（002409）、兴福电子；【CBADRAMCMOS】：晶合集成；【封测】汇成股份、深科技（000021）；【利基DRAM设计】兆易创新、北京君正（300223）。

评级面临的主要风险

IPO进度不及预期、产能扩张爬坡不及预期、AI等领域需求不及预期、新技术突破不及预期、存储市场周期波动。

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