佰维存储（688525）TGE408eMMC采用自主研发的主控芯片、内置自研固件算法与本土NAND Flash颗粒，从芯片设计到流片制造实现全流程本土化，采用FBGA153Ball封装设计，遵循eMMC5.1协议并支持HS400高速模式，可在-40℃~85℃宽温域内稳定工作，搭配独家Win-pSLC超稳耐久架构，兼顾卓越性能、超高可靠性与超长耐久度，为电力能源（850101）、工业自动化等对稳定性要求严苛的领域，提供安全高效的数据存储解决方案。

【自研主控+本土颗粒：全栈本土化，筑牢工业数据安全（885942）防线】

全工业级元器件选型与架构设计，严选本土工业级NAND颗粒，搭载佰维#自研主控芯片，#自主封测制造，供应稳定持久，极速响应客户需求。

容量覆盖8-16GB(pSLC模式)与64-128GB(TLC模式)，可满足不同工业场景的存储容量需求。

顺序读取/写入速度达330MB/s、220MB/s，保障工业设备数据的高速传输与实时处理；

应用领域：#工业自动化、#电力能源（850101）、#工业机器人、#智慧安防（885423）、#轨道交通、#AIoT、#智慧医疗等。

【-40℃~85℃宽温设计：无惧极端环境，稳定高效运行】

采用-40~85℃宽温设计，无论是极寒的户外作业、高温的工业车间，还是伴随震动的轨道交通、电力巡检场景，均能保持稳定的运行状态。

佰维自研固件#高低温增强策略，进一步优化设备在极端温度下的性能表现，避免因温度波动导致的数据丢失或设备宕机。

【独家Win-pSLC技术：性能与耐久度双优，依场景灵活定制】

TGE408eMMC搭载佰维独家Win-pSLC固件技术，通过将TLC闪存模拟为SLC模式，大幅提升读写速度与响应效率，让工业设备在高负荷、频繁读写的场景下，仍能保持高效的数据处理能力。同时，该技术有效延长了存储介质的使用寿命与可靠性，避免频繁更换存储设备带来的成本与效率损耗。

TLC模式支持3K次P/E循环，pSLC模式更可达100K次P/E循环，平均无故障时间(MTBF)超300万小时，超越工业级存储基准。

内置的#自研固件算法，不仅支持#坏块管理、#磨损均衡、#LDPC纠错等基础功能，更通过#掉电保护算法，确保设备在突发断电时数据不丢失，保障作业流程的连续性。

此外，自研主控与自研算法支持多层次定制，可根据客户的特殊场景需求，优化产品性能与功能，实现存储方案与整体系统的深度协同，最大化提升集成价值与场景适配性。