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华为自研全新 DoB 封装技术:绕过 400 层 NAND 造出 122TB 企业级 SSD,未来还计划推出 245TB 版本利好
2026-05-24 11:50:03
来源:IT之家
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问财摘要

1、华为在ID Forum2026活动上展示了基于自研Die-on-Board(板上裸片封装,DoB)封装技术的大容量SSD系列。其中一款面向AI推理和数据中心的全新SSD提供61.44TB与122.88TB两种容量,而且华为未来还计划推出245TB版本。 2、华为使用自主研发的DoB封装技术,将更多NAND Die直接封装在PCB电路板上,从而绕开传统TSOP或BGA封装对芯片数量的限制,提供更高的密度和更好的性能。
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闪迪--

IT之家5月24日消息,据Blocks&Files报道,华为于5月20日至21日在巴黎举行的ID Forum2026活动上展示了基于自研Die-on-Board(板上裸片封装,DoB)封装技术的大容量SSD系列。

其中一款面向AI推理和数据中心的全新SSD提供61.44TB与122.88TB两种容量,而且华为未来还计划推出245TB版本。

IT之家此前报道,华为在去年8月发布了三款全新AI SSD产品,其中LC560就曾承诺推出最大245TB的容量。

华为使用自主研发的DoB封装技术,将更多NAND Die直接封装在PCB电路板上,从而绕开传统TSOP或BGA封装对芯片数量的限制,提供更高的密度和更好的性能。

目前三星等原厂已经推出400层以上的3D NAND产品,但相关芯片涉及美国技术,所以无法向华为供应最新NAND芯片。因此,华为选择通过封装层面的创新提升容量密度。

传统主流SSD供应商(如三星、铠侠、闪迪(SNDK)、美光等)通常采用多芯片堆叠在TSOP或BGA封装内部,然后再焊接到PCB上。传统TSOP/BGA封装受限于封装体的固定物理尺寸,最多只能实现16层裸片堆叠,而DoB技术最高可实现36层堆叠,突破了这一物理限制。

相比于TSOP或BGA封装,华为的DoB方案不仅提升了容量密度,还因省去了若干昂贵的封装步骤,从而更具成本效益。

在 2026巴黎活动期间,华为展示了多款高容量SSD产品,包括已经量产的61.44TB和122.88TB型号,以及未来规划中的245TB版本。另外,展区中的OceanDisk1800Smart Disk Enclosure宣传资料显示,该2U机箱可实现1.47PB容量,并标注采用“基于DoB堆叠技术的大容量SSD”。另一台OceanDisk1610展示设备则标称可在2RU空间内搭载36块61.44TB SSD,总容量达到2.2PB。

作为对比,戴尔目前基于铠侠(Kioxia)245.88TB QLC NVMe SSD的方案,在2RU机箱中可提供约9.8PB原始容量。华为DoB技术已经在一定程度上缩小了双方差距。

IT之家注意到,华为在2024年发布的《数据存储2030》白皮书以及相关宣传材料中也重点介绍了DoB技术。

华为当时提到,这类Wafer-Scale技术需要解决超大芯片的制造、芯片的功能管理和监控、跨芯片连接、芯片散热、可靠性管理等问题。现在,华为研发团队经过专项技术攻关后,最终实现了该技术的规模化商用。

目前,该技术已应用于OceanStor Pacific9926全闪分布式存储,以及配套的OceanDisk QLC PCIe Gen4SSD产品中,提供61.44TB与122TB容量版本,但具体NAND层数尚未披露。

另外,华为AI SSD架构在主控芯片中集成AI加速单元,可实现存储与计算协同,从而降低数据传输能耗。采用36块122.88TB PCIe Gen5NVMe SSD的OceanStor Pacific9926,在2RU机箱中可提供4.42PB原始容量,在2.5:1压缩比下有效容量可达到11PB。

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