6月4日，存储芯片（886042）板块逆市大涨，其中兆易创新（HK3986）（603986.SH）、佰维存储（688525）（688525.SH）等多家公司涨超5%，大为股份（002213）（002213.SZ）、太极实业（600667）（600667.SH）涨停。消息面上，6月3日，韩国SK集团董事长表示，SK海力士计划在未来五年将晶圆产能扩大一倍，全球晶圆短缺的状况可能会持续到2030年。同日，TrendForce集邦咨询上调第一季度DRAM和NAND Flash合约价涨幅预测，其中常规DRAM合约价从季增55%-60%调整为90%~95%，NAND Flash从33%~38%上调至55%~60%。
据私募排排网，从产业链角度看，存储芯片（886042）涉及的四大核心环节——存储原厂及芯片设计、主控芯片、模组及封测、设备材料——目前均处于供需紧张状态，但各环节的受益逻辑与持续性存在显著差异。
本轮景气传导的顺序大致为：AI服务器需求爆发→原厂及芯片设计业绩爆发→模组与封测厂商承接涨价红利→设备与材料企业进入扩产受益阶段。
据私募排排网整理的存储芯片（886042）产业链A股名单，原厂及设计公司环节包括华虹公司（688347）（688347.SH）、兆易创新（HK3986）、澜起科技（HK6809）（688008.SH）、普冉股份（688766）（688766.SH）、恒烁股份（688416）（688416.SH）、北京君正（300223）（300223.SZ）、中芯国际（HK0981）（688981.SH）、聚辰股份（688123）（688123.SH）、上海贝岭（600171）（600171.SH）、东芯股份（688110）（688110.SH）；主控芯片环节包括万通发展（600246）（600246.SH）、江波龙（301308）（301308.SZ）、联芸科技（688449）（688449.SH）、德明利（001309）（001309.SZ）；模组与封测环节包括立和兴、深科技（000021）（000021.SZ）、太极实业（600667）、华天科技（002185）（002185.SZ）、通富微电（002156）（002156.SZ）、长电科技（600584）（600584.SH）、佰维存储（688525）、朗科科技（300042）（300042.SZ）等；设备与材料环节包括中巨芯（688549）-U（688549.SH）、江化微（603078）（603078.SH）、XD拓荆科（688072.SH）、盛美上海（688082）（688082.SH）、雅克科技（002409）（002409.SZ）、华海清科（688120）（688120.SH）、立昂微（605358）（605358.SH）、麦捷科技（300319）（300319.SZ）、沪硅产业（688126）（688126.SH）、华特气体（688268）（688268.SH）、长川科技（300604）（300604.SZ）等。
目前，全球存储超级周期（883436）的狂欢，已在资本市场上演了历史性的一幕。2026年5月，韩国存储巨头SK海力士、三星电子相继突破万亿美元市值大关。作为英伟达（NVDA）（NVDA.US）AI算力核心供应链的枢纽，SK海力士过去一年股价飙升约900%，其中今年来涨幅约为263%。根据Counterpoint Research的数据，SK海力士今年第一季度在全球HBM市场上占据了58%的份额，三星和美光各占21%的份额。数据显示，美股美光科技（MU）（MU.US）2026年累计上涨278%，股价亦创下历史新高。
与此同时，在这场由国际巨头主导的高端产能竞赛中，全球存储格局正在经历剧烈重构。DRAM全球三大存储原厂SK海力士、三星和美光加速向利润丰厚的HBM倾斜产能——TrendForce预计，HBM占全球DRAM总投片量的比例已从两年前的8%激增至23%。这种对通用DRAM的“结构性抽血”，正在全球庞大的中端市场撕开一个巨大的供给缺口。
在此背景下，国产存储厂商迎来“国产替代”黄金窗口期，国内存储龙头正加速突围。
目前，长鑫存储正向全球市场发起冲击。根据TrendForce数据，其全球DRAM产能份额已从两年前的不足5%增长到2026年的约8%。公司于5月27日科创板IPO过会，拟募资295亿元，为科创板史上第二大IPO。
与此同时，长江存储在2026年一季度的全球NAND市场份额已攀升至约13%，同比增幅高达246%，已追平美光、闪迪（SNDK）（SNDK.US）等国际竞品。公司已于5月19日启动IPO辅导，市场预测估值约3000亿元。
