碳化硅概念股逆市走高，截至发稿，瀚天天成（HK2726）(02726)涨10.85%，报140港元；天岳先进（HK2631）(02631)涨10.6%，报103.3港元；ASMPT（HK0522）(00522)涨8.74%，报211.4港元；天域半导体（HK2658）(02658)涨2.19%，报51.25港元。
消息面上，英伟达（NVDA）此前在GTC大会上表示，800V直流技术研发工作仍在稳步推进，800V直流电源机柜将于2026年第三季度实现量产就绪。海内外大厂均加大碳化硅(SiC)布局，英飞凌4月1日针对SiC等产品涨价超15%，三星宣布重启SiC代工业务，抢占第三代半导体（885908）材料市场份额。
开源证券指出，英伟达（NVDA）推动数据中心电源架构向800V高压直流升级，显著拉动SiC价值量与渗透率。根据Citrini Research测算，每1MW AI机柜电源转换BOM成本中，SiC、GaN等宽禁带器件占新增成本64%。预计2024-2030年SiC市场规模由35亿美元增至124亿美元，AI基础设施将贡献近半数需求。
