近期，PI先后亮相两场行业技术盛会。在2026世界AI服务器电源大会以及2026AI服务器电源与算力能效技术创新研讨会(华南)上，公司技术专家余兴与江盛明围绕同一主题展开分享，聚焦1250V/1700V GaN HEMT器件，详解800VDC AI数据中心电源设计方案，阐述PowiGaN开关器件如何适配英伟达（NVDA）800VDC数据中心架构的供电需求，全面解析产品技术优势。
2025年10月，PI发布《1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用》白皮书，并宣布与英伟达（NVDA）达成深度合作，助力AI数据中心800VDC高压供电架构落地。
白皮书聚焦新一代算力电源升级需求，介绍1250V GaN相对于2个堆叠的650V的硅/GaN或1200V SiC的优势，并分享适配该场景的辅助电源方案。
目前PI1250V、1700V PowiGaN已实现大规模量产，历经市场验证，契合800VDC服务器电源需求。
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PowiGaN产品迭代
深耕氮化镓领域，PI不断推进产品升级：2018年首发750V消费（883434）级PowiGaN，2022年推出900V，2024年完成1250V、1700V PowiGaN产品布局。
PowiGaN系列兼顾性能与成本，契合新一代AI算力电源的应用需求。目前在AI服务器辅助电源方面已实现批量出货，面向主电源的氮化镓方案也在研发推进中。
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1250V GaN VS650V Si MOSFET级联方案
针对800VDC服务器电源高压输入场景,PI主推单颗高压氮化镓的方案。对比两组LLC并联的650V硅MOSFET级联架构，单颗1250V PowiGaN电路更简洁，驱动与控制逻辑也更简单。
650V硅MOSFET级联方案等效内阻、寄生电容偏大，效率与功率密度表现不及单管GaN方案。此外，级联方案还存在分压失衡风险：800VDC输入环境下，单路器件承压易超出额定范围，难以保障服务器电源的高可靠性。
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同耐压对标，GaN性能优于SiC
在同等耐压等级下，GaN综合性能优于SiC。GaN拥有更低的输出电容Qoss、栅极电荷Qg以及更短的关断时间，工作频率最高可达1MHz，而主流SiC器件工作频率维持在200kHz左右。
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GaN架构对比：
共源共栅架构表现更佳
氮化镓主要分为增强型HEMT与耗尽型共源共栅(Cascode)两大架构，二者驱动、损耗特性各不相同。
增强型HEMT耐压为7V，实际使用需降至6V以内，难以发挥低内阻性能优势；且阈值电压为1-1.5V，易受电压噪声、电路振荡干扰发生误导通，需搭配负压关断电路，驱动控制复杂度高。
PI 采用的耗尽型共源共栅架构，借助低压硅MOS管控开关，驱动耐压可达25V，抗干扰性更强。在LLC应用中，其反向导通拐点电压为0.7V，损耗仅为增强型GaN的1/6~1/7，高频轻载能效表现突出。
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抗高压冲击可靠性：
GaN容错性超SiC
瞬时高压冲击是影响服务器电源安全与稳定性的重要因素，GaN与SiC在此方面表现差异显著。SiC多采用垂直结构，高压下栅极附近易发生空穴堆积，引发电场畸变并产生局部高温，进而造成器件突发损坏或雪崩击穿。
GaN采用平面结构，2000V以内的瞬时过压不会直接损坏，而会内阻上升，高压消失静置后即可恢复，容错能力更强，更适配服务器复杂的电网。
从架构、性能到可靠性，高压GaN展现出适配算力场景的综合实力。伴随800VDC供电架构逐步落地，GaN器件将成为行业优选方案，助力AI服务器电源高效、紧凑、稳定运行。
