2026年6月26日，国盛证券（002670）发布了一篇中小盘行业的研究报告，报告指出，新质策略系列之碳化硅-AI赋能打开成长空间，供需共振开启量价齐升。
报告具体内容如下：
一、碳化硅：第三代半导体（885908）核心材料，全球格局加速重构 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体（881121）的核心代表材料之一，凭借高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，可突破传统硅基器件的物理性能极限，适配高压、高温、高功率、高频等应用场景，是支撑新能源（850101）革命与AI算力升级的底层核心材料。碳化硅器件产业链分为上游衬底与外延、中游器件与模块、下游应用三大环节，其中衬底是产业重要技术壁垒，据华经产业研究院数据，占器件总制造成本的47%。市场层面，据QYResearch数据，2025年全球碳化硅功率器件市场销售额达406.91亿元，预计2026-2032年CAGR20.5%，2032年达1479.68亿元。竞争格局上，全球碳化硅器件市场仍由意法半导体（STM）、英飞凌等海外巨头主导；国内企业沿产业链各环节加速突围，在衬底制造、器件设计、模块封装等领域持续实现技术突破，国产化率稳步提升，全球产业竞争格局正加速重构。 二、发展动能研判：供需重塑抬升行业景气，多元需求与技术升级共拓长期空间
（一）供需格局边际反转，行业步入量价齐升上行周期（883436）
经历2025年的市场出清后，碳化硅行业供需格局已实现实质性改善。价格端，2025年6英寸衬底均价一度从年初4000-4500元/片回落至2000元/片附近，2026年4月以来已出现较大幅度反弹，8英寸产品同步止跌企稳并小幅上涨；中游器件环节，海外功率半导体（881121）龙头英飞凌、意法半导体（STM）均已发布年内第二轮调价通知，国内厂商同步跟进调价，行业价格周期（883436）明确反转。供给端，中小产能持续出清，有效供给向头部集中，当前头部衬底厂商产能利用率已超90%，部分高端规格产品供给偏紧。需求端，传统赛道需求稳步增长，叠加新兴场景放量与终端备库存需求，行业订单能见度显著提升，部分产品交付周期（883436）大幅拉长，行业进入价涨量增的景气上行阶段。
（二）AI算力打开成长新空间，需求结构从单核迈向多核
新能源（850101）仍是行业压舱石，碳化硅功率器件逐步从高端车型向中低端市场渗透，光伏储能（885921）、充电桩（885461）、轨交等领域需求同步扩容。而AI数据中心正成为行业重要增长极，随着大模型算力需求升级，AI芯片功耗持续攀升，机柜功率密度从百千瓦级向兆瓦级演进，传统供电架构的损耗与散热瓶颈日益凸显，800V高压直流供电架构已成为行业技术共识，驱动数据中心供电体系全面升级。碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度的材料特性，能够显著提升服务器电源模块的功率密度与能量转化效率，有效降低数据中心PUE值，是支撑高压直流架构落地的关键器件。此外，碳化硅应用版图持续延伸，加速向AI眼镜（886085）光波导、先进封装（886009）等新兴领域拓展，下游需求多元化趋势愈发明确。
（三）大尺寸迭代驱动降本增效，国内头部厂商话语权持续提升
衬底尺寸升级是碳化硅行业降本增效和扩大应用的核心方向之一，也是产业竞争的战略制高点。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍，可带动全产业链单位成本下行，是推动碳化硅从高端选配走向规模化普及的重要抓手。当前行业处于尺寸迭代关键窗口期：6英寸导电型衬底仍是出货主流，但6英寸器件赛道竞争已进入红海；8英寸经济性逐步被验证，成为当前竞争主战场；12英寸代表下一代技术方向，是全球产业话语权的重要争夺点。国内厂商在本轮升级中实现跨越式突破，头部企业已完成8英寸碳化硅衬底规模化量产，带动国内形成从材料到器件的完整8英寸技术生态，同时率先推进12英寸全系列产品技术攻关。长期来看，大尺寸升级将推动衬底成本中枢持续下移，加速多场景替代渗透，同时抬高行业壁垒，推动产能出清与份额向头部集中，国内领先厂商的全球产业话语权将稳步提升。
三、投资建议
当前碳化硅行业正处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。建议关注以下优质标的：
士兰微（600460）：国内综合型半导体（881121）IDM核心厂商，深耕SiC功率器件领域，6英寸SiC功率器件芯片产线已形成月产1万片MOSFET产能并持续上量，8英寸SiC功率器件芯片产线2025年四季度通线，月产能5000片，预计2026年下半年投产；自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET通过头部厂商认证并批量应用于AI算力中心电源，配套高性能中低压MOSFET同步出货，第Ⅳ代SiC芯片与模块已完成客户评测并批量交付。
新洁能（605111）：国内功率半导体（881121）核心厂商，MOSFET、IGBT、SiC等功率半导体（881121）产品广泛适配AI服务器及数据中心的电源单元、电压调节模块、HVDC系统、SST等关键环节。公司自主研发的SiCMOSFET可靠性与能效对标欧美竞品，第2代、2.5代SiCMOSFET平台已全面量产，覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V电压段；第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺开发，相关产品处于可靠性验证阶段。
天岳先进（HK2631）：全球宽禁带半导体材料（884091）行业龙头，据日本富士经济数据，2025年导电型SiC衬底全球市占率达27.6%，位列全球第一；公司已实现8英寸SiC衬底量产，率先完成2英寸至8英寸SiC衬底商业化，并推出12英寸SiC衬底产品，掌握SiC衬底生产环节核心技术；目前已与全球前十大功率半导体（881121）器件制造商中半数以上建立合作，产品广泛应用于新能源汽车（885431）、AI数据中心等终端领域，并持续拓展先进封装（886009）等新兴应用场景。
风险提示：技术迭代不及预期，国产替代进度不及预期，下游需求波动，供给超预期释放，原材料价格波动。
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