6月30日，存储芯片（886042）午后持续走高，天山电子（301379）（301379.SZ）、深科达（688328）（688328.SH）双双实现20CM涨停，正帆科技（688596）（688596.SH）、中科飞测（688361）（688361.SH）、聚和材料（688503）（688503.SH）、伟测科技（688372）（688372.SH）涨幅超10%，深科技（000021）（000021.SZ）、恒烁股份（688416）（688416.SH）、康强电子（002119）（002119.SZ）跟涨。
消息面上，三星与SK海力士（SKHY）公布十年合计2000万亿韩元（约1.3万亿美元）半导体（881121）投资计划，其中三星单家投资2655万亿韩元，重点加码龙仁、平泽HBM与DRAM高端产线，计划五年内实现DRAM产能翻倍。
野村与集邦同步上调三季度存储价格预期，DRAM环比涨幅调至24%，NAND维持25%环比上涨，HBM长期供需紧张，AI服务器单机存储用量较传统大幅跃升。苹果（AAPL）（AAPL.US）已因存储成本高企上调Mac与iPad售价，库克称当前存储缺口为“百年一遇”，消费电子（881124）与算力需求共振推动厂商盈利弹性扩大。摩根大通（JPM）（JPM.US）研报预测，2028年全球存储市场规模将达1.68万亿美元，行业成长空间显著拓展。
