上证报中国证券网讯(记者邓贞)近日，先进封装（886009）领域扩产消息密集释放。6月29日，盛合晶微（688820）100亿元“三维集成芯片制造”项目在上海临港（600848）东方芯港开工；甬矽电子（688362）、长电科技（600584）等头部封测厂此前也已宣布扩产计划。
“这一轮扩产不是简单的产能扩张，对于一级市场而言有了新的投资机遇。”之路资本合伙人景谊明对上证报记者表示，AI算力需求井喷后，行业对“存储墙”瓶颈的认知从“怎么改存储”转向了“怎么让算和存靠得更近”——先进封装（886009）正是实现这一目标的最短路径。
“存储墙”倒逼路线切换先进封装站上C位
当前，AI产业正加速由训练向推理迁移。德勤预测，未来超80%的算力需求将集中在推理侧。然而，大模型推理长期受制于“内存墙、算力墙、通信墙”三大核心瓶颈，尤其是数据在存储器与处理器之间的频繁搬运，造成高达80%的能耗和70%的成本压力。
过去几年，行业的主流思路是“改存储”——通过存内计算技术直接改造存储单元结构，让存储芯片（886042）本身具备计算能力。但这一路线的技术迭代周期（883436）以10年计，商业化前景迟迟未明。
“先进封装（886009）提供了一条完全不同的解题思路。”景谊明解释，近存计算不再试图改造存储器件本身，而是通过3D堆叠、硅通孔(TSV)等封装技术，将逻辑芯片与存储芯片（886042）垂直集成，把“算”和“存”在物理空间上贴合在一起，大幅缩短数据传输路径。“这相当于用工程手段快速抵达目的地。”
今年以来，HBM(高带宽内存)的供不应求，恰恰印证了这一逻辑转变。HBM通过垂直堆叠多个存储芯片（886042）拓宽数据通路，在一定程度上缓解了带宽瓶颈，但数据仍需从存储芯片（886042）“搬运”至计算芯片，物理距离带来的延迟与功耗问题并未根除。“HBM越卖越火，说明市场对突破‘存储墙’的需求越迫切，同时也说明单靠‘改存储’已经不够用了。”景谊明说。
在此背景下，封装环节从半导体（881121）产业链跃迁成为AI芯片产品化速度的关键卡位点。逻辑芯片与存储芯片（886042）的3D堆叠，对封测厂的TSV、再布线层(RDL)、凸点加工等工艺能力提出了前所未有的高要求——谁先建成高端先进封装（886009）产能，谁就有可能在这轮AI芯片供应链重构中抢占先机。
重新押注资本从“存内”涌向“近存”
技术路线的切换，已迅速传导至一级市场。
“今年上半年，先进封测已经是半导体（881121）投资最显性的热点，没有之一。”宏兆基金总裁王珺对上证报记者说，过去几年资本对存内计算项目的追捧，很大程度上被器件物理层面的突破难度“拖住了”——存内计算要改存储单元，迭代周期（883436）太长，投资人逐渐意识到，这不是一个能在基金存续期内看到回报的方向。
相比之下，近存计算采用现成的存储和计算晶圆，通过封装手段实现高密度互联，产品化速度可能快至3到5年。“这种时间窗口的差异，让一级市场迅速调整了筹码分布。”景谊明表示。
从投资标的来看，当前一级市场受关注的企业呈现出明显的“近存计算”特征：不再执着于改造存储器件本身，而是借助先进封装（886009）技术在三维空间里缩短算与存的距离。例如，算苗科技新一代产品A4E将8层存储晶圆垂直堆叠在计算晶圆之上，通过硅通孔技术实现微米级互联，访存带宽达16TB/s，首款芯片已于6月流片。
与此同时，部分从存储端切入的企业也在调整技术路径，向“封装融合”靠拢。青耘科技作为兆易创新（603986）控股子公司，正利用其在存储领域的技术积累，通过存储芯片（886042）的定制化设计和三维堆叠，实现存储与计算的更紧密耦合；光羽芯辰则独创创新的3D堆叠和存算一体融合技术，实现逻辑芯片与存储芯片（886042）深度耦合，搭配自研高能效端侧NPU与3D SoC全栈设计，将算力效率提升10倍、功耗显著下降，打破算力传输壁垒。
“这些企业的共同方向是‘算存贴合’，但路径各有侧重。”景谊明说，“对投资人而言，关键是找到在封装工艺、系统集成或架构设计上有独特卡位能力的团队。”
王珺说，宏兆基金此前投资的盛合晶微（688820）便是在高端先进封装（886009）领域率先卡位，采用硅基2.5D封装技术，与头部客户建立了较强合作关联。“伴随着华为发布的韬(τ)定律，通过立体堆叠突破摩尔定律放缓的限制，先进封装（886009）作为提升芯片性能的关键节点，其战略价值正在被重估。”
业内人士也提示，随着AI算力需求持续增长，先进封装（886009）的投资热度还将延续。但需要注意的是，这一赛道对工艺积累、设备投入和客户绑定要求极高，并非所有涌入的资本都能获得理想回报。产能建设只是门槛，真正的壁垒仍在于谁能够将核心工艺做到行业顶尖水平。
