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7月以来，英飞凌与英诺赛科（HK2577）（02577.HK）持续两年多、横跨中美德三地的全球性氮化镓专利博弈再度升温。
随着上海慕尼黑电子展上演线下展品对峙、英飞凌涉诉产品现场撤展、线上隔空声明交锋，双方争端进一步由司法赛场延伸至行业展会与公开舆论场。
7月4日，英诺赛科（HK2577）通过官网发布海外诉讼最新澄清公告，慕尼黑地区法院就英飞凌提起的一项专利诉讼作出一审判决，判定公司当前在售氮化镓功率器件不受该专利约束，可在德国市场正常销售。
英诺赛科（HK2577）同时厘清了美国ITC裁决的真实边界：美方进口禁令仅针对英诺赛科（HK2577）早已停产退市的老旧产品，新一代主力氮化镓产品依旧能够销往美国市场，回应了英飞凌此前声明里关于海外侵权表述。
撤展事件则发生在7月1日，上海慕尼黑电子展开幕首日。彼时，英诺赛科（HK2577）向展会方提出针对英飞凌侵权产品的撤展要求，展会方支持了英诺赛科（HK2577）的主张。7月2日，英诺赛科（HK2577）披露了其在展会维权始末。
7月3日英飞凌发布官方声明回应慕展撤展争议，否认自身存在侵权行为，称旗下10款CoolGaN G3涉诉氮化镓产品仍处于司法复核流程之中，暂不认可侵权定性。
而支撑本次英诺赛科（HK2577）展会维权的，是已形成闭环的国内司法裁定链条。2026年5月27日，苏州中院一审认定英飞凌G3系列侵权，判令全域停售、赔付千万元损失并下发行为保全禁令。英飞凌后续申请专利无效、最高法禁令复议的两条抗辩路径全数被驳回，6月12日最高法知产庭出具终局裁定，维持禁令效力，涉案产品国内禁售令具备强制执行力。
此次英飞凌在慕展撤展，是国内氮化镓领域司法禁令首次在大型国际电子展会公开落地执行，意味着国产自研硅基氮化镓底层专利正式拥有制衡海外头部功率半导体（881121）巨头的实战能力。
与此同时，随着英飞凌高端氮化镓产品在华禁售，相应市场份额有望快速向英诺赛科（HK2577）等具备量产能力的国内头部厂商转移，氮化镓国产替代进程迎来加速契机。
英飞凌海外围堵未果，G3系列部分产品在华被禁售
这场全球博弈的起点，是英飞凌的专利储备与全球围堵策略。
2023年10月，英飞凌斥资8.3亿美元收购加拿大氮化镓企业GaN Systems，新增350余项氮化镓相关专利，叠加自身技术储备后手握超450个GaN专利家族，搭建起全球知识产权壁垒。
2024年起，英飞凌在欧美两大核心市场同步发起诉讼。
美国市场方面，2024年3月英飞凌在加利福尼亚州北区联邦地区法院提起侵权诉讼，同年7月向美国国际贸易委员会（ITC）申请337调查，试图通过海关禁令阻断中国产品进入北美。
2026年5月ITC作出终局裁定，认定英诺赛科（HK2577）已停产的旧款产品侵犯一项封装专利并发布进口禁令，但其当前在售主力产品未受裁决实质影响，仍可正常在美国市场销售。
德国市场方面，2024年6月，英飞凌在慕尼黑地方法院提起专利诉讼，并同步取得临时禁令限制英诺赛科（HK2577）展会展示。2025年8月，慕尼黑法院一审判决英飞凌胜诉，判令英诺赛科（HK2577）停止在德销售侵权产品并赔偿损失。
2026年6月，法院就另外两项专利再次作出一审胜诉判决，进一步扩大了英诺赛科（HK2577）在德禁售产品范围。英诺赛科（HK2577）就相关判决提起上诉，7月4日公布的最新判决则明确英诺赛科（HK2577）主力在售产品未受该项专利约束。
面对海外市场的专利围堵，英诺赛科（HK2577）依托自主研发的硅基氮化镓底层核心专利，在国内市场发起反向司法维权。
2024年底，英诺赛科（HK2577）向苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）、英飞凌科技（无锡）及代理商销售推广的CoolGaN G3系列10款氮化镓功率器件，侵犯其两项核心发明专利，专利号为：ZL202311774650.7、ZL202211387983.X。两项专利分别覆盖高压氮化镓器件结构与制备工艺，属于650V高压硅基GaN通用底层基础专利，保护范围覆盖主流高压功率器件架构，绕开改造门槛极高，直接覆盖英飞凌CoolGaN G3全系主力高压产品线。
案件审理过程中，英飞凌同步向国家知识产权局申请宣告涉案专利无效，试图从根源推翻诉讼基础。2025年11月，国知局作出审查决定，维持两项专利权全部有效；后续北京知识产权法院驳回英飞凌的行政诉讼。
2026年5月27日，苏州市中级人民法院作出一审判决，认定英飞凌侵权成立，判令其立即停止在中国境内销售、许诺销售、进口涉案全部产品，赔偿经济损失合计1000万元，同步下发诉中行为保全禁令，裁定送达即生效。
英飞凌不服行为保全裁定，向最高人民法院知识产权法庭申请复议；2026年6月12日，最高法作出终局复议裁定，全部驳回英飞凌的复议申请，维持苏州中院禁令效力。
专利咨询机构PRIP Research专项报告指出，本次销售禁令将对英飞凌在华氮化镓业务造成显著冲击，受影响核心品类集中于AI数据中心与服务器用高压器件、车规级功率模块，而这正是其在华毛利率最高的业务线。
英诺赛科氮化镓芯片累计交付超20亿颗，月产能要扩至7万片
作为这场全球专利博弈的核心主体，英诺赛科（HK2577）的专利实力早已在产业端落地。
英诺赛科（HK2577）2015年12月成立于江苏苏州，是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，在2024年12月末登陆港交所主板时，引入意法半导体（STM）、江苏国企混改基金等作为基石投资者。
机构报告显示，该公司占据全球氮化镓功率半导体（881121）市场约30%的份额。英诺赛科（HK2577）年报披露，2025年，其氮化镓芯片交付量超8亿颗，累计交付量突破20亿颗，全球市场份额居第一。
产能布局上，英诺赛科（HK2577）在苏州、珠海（883419）两地布局两座8英寸专属氮化镓晶圆厂，2025年底合计月产能达2万片。据2025年度业绩交流会披露的扩产规划，2026年底至2027年初，该公司8英寸晶圆月产能将提升至3万～3.5万片；2027年底至2028年一季度，苏州工厂满产后月产能将达到7万片。
在工艺与成本端，深芯盟产业研究部2025年发布的报告显示，英诺赛科（HK2577）通过自主研发的3.0代工艺平台，单片8英寸晶圆的芯片产出较行业主流6英寸产线提升80%，单颗芯片制造成本较行业平均水平降低40%；产品良率稳定在95%以上，高于行业85%～90%的平均水平。
产品与营收结构上，英诺赛科（HK2577）覆盖15V～1200V全电压谱系，包含分立器件（884090）、集成驱动GaN IC、功率模块三大类产品，是行业内产品线覆盖最宽的氮化镓厂商。
2025年，英诺赛科（HK2577）实现总营收约12.13亿元，同比增长46.3%，凭借在氮化镓领域的积累，英诺赛科（HK2577）将其应用边界从消费电子（881124）拓展至AI数据中心、新能源汽车（885431）和机器人关节驱动三大高景气领域，顺利完成从概念到量产的商业化进程。
具体来看，英诺赛科（HK2577）AI数据中心业务2025年实现收入约6319万元，同比增长50.2%，产品进入英伟达（NVDA）、谷歌等头部客户的800V高压直流供电体系，是英伟达（NVDA）MGX生态中唯一的中国GaN芯片供应商。
汽车电子（885545）业务收入约5790万元，车规级芯片出货量同比增长105%，已与联合汽车电子（885545）、长安汽车（000625）实现650V GaN OBC系统量产装车，同时布局激光雷达、48V DC-DC应用场景。人形机器人（886069）关节驱动芯片于2025年首次实现量产出货，当年实现销售额126万元。
中游器件形成梯队格局，整体国产化率突破六成
此前英飞凌禁令落地的消息一经释放，迅速在资本市场引发强烈反应。
6月15日，英诺赛科（HK2577）单日大涨16.6%，士兰微（600460）（600460.SH）、三安光电（600703）（600703.SH）双双涨停，华润微（688396）（688396.SH）涨幅超13%，氮化镓板块全线迎来行情提振。
相关的传导效应也在国内产业链逐步显现。7月3日，华润微（688396）在深交所互动易回应投资者提问时明确表示，英飞凌相关产品禁售对公司销售有一定正面促进作用。
这场专利博弈与替代窗口的出现，背后是国内氮化镓产业链十余年技术积累形成的支撑。据中研普华统计，国内硅基氮化镓量产工艺持续成熟，行业整体从技术试产阶段迈入规模化量产与商业化普及周期（883436）。
博研咨询上半年发布的系列氮化镓产业调研数据显示，国产化率层面，2026年国内氮化镓器件整体国产化率达61%，较2025年提升9个百分点。其中消费电子（881124）领域国产化率最高，已达87%，但高频射频前端、工业级高压模块仍高度依赖海外厂商。
上游衬底环节，不同技术路线自给率分化显著。2025年国内功率氮化镓所用硅衬底国产采购占比达96.8%，基本实现自主可控；不过，SiC衬底进口依赖度仍高达78.3%；高端自支撑氮化镓衬底的大尺寸规格仍以海外供应为主，国内企业仅在小尺寸规格实现突破。
外延环节是国产化进度最快的细分领域。2025年国内氮化镓外延片市场规模达42.3亿元，同比增长28.7%，增速显著高于全球19.2%的平均水平。
目前国内已形成苏州纳维科技、东莞中镓半导体（881121）、厦门三安集成、山东天岳先进（688234）、广州南砂晶圆五大产业化主体：2025年苏州纳维GaN外延片出货量折合4英寸等效8.6万片，占国内总出货量的23.1%；东莞中镓射频GaN外延片市占率达31.4%，主导国内5G（885556）基站GaN功放芯片配套供应；厦门三安集成依托IDM协同优势，实现快充与车载OBC用功率GaN外延片量产交付，2025年该类产品良率达92.7%。
技术路线上，2025年国内仍以4英寸硅基氮化镓外延片为主，占比68.5%；6英寸产线扩张提速，苏州纳维、山东天岳均已建成6英寸中试线，预计2026年6英寸产品占比将提升至34.2%。
在中游器件环节，头部IDM厂商已形成梯队化竞争格局，在多个细分赛道占据稳定市场份额。三安光电（600703）2025年氮化镓器件营收达12.8亿元，同比增长51.3%；2026年功率器件产能折合8英寸等效晶圆4.2万片/月，市占率位居国内前列。华润微（688396）在车规级市场优势突出，2026年车规级GaN模块出货量占国内总量的31%。士兰微（600460）依托厦门士兰集科产线，2026年氮化镓快充芯片出货量预计达1.47亿颗，占国内消费（883434）类GaN芯片市场的42%。
新兴的氮化镓集成电路（GaN ICs）赛道正处于高速增长期。2025年国内GaN ICs市场规模达20亿美元，同比增长66.7%，远超全球32%的平均增速。
在设计端，苏州纳维科技2025年推出第三代650V/10A硅基单片集成驱动IC NVG65010，良率达82.3%。专利层面，2025年中国企业全球氮化镓IC专利授权量达1847件，同比增长43.2%，其中华为海思、苏州纳维科技、三安集成三家合计占比57.1%，技术积累正从分立器件（884090）向系统级IP延伸。
整体来看，国内氮化镓产业已完成消费电子（881124）场景的规模化验证，当前正处于向AI服务器、新能源汽车（885431）、高端工业电源等高端赛道渗透的关键替代期，英飞凌产品禁售形成的供给缺口，将进一步加速这一渗透进程。
