美光2500亿美元投资计划催化存储超级周期,国产芯片全产业链迎共振窗口

2026-07-10 09:32:21
来源:财闻
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AIME

问财摘要

1、存储芯片巨头美光科技宣布计划2035年前在美国投资超过2500亿美元,目标是将DRAM产量的40%放在美国本土生产。 2、同时,SK海力士美国ADR发行获超七倍超额认购,韩国上市股票过去一年累计上涨约700%。 3、全球存储芯片双雄同时释放强劲扩产信号,直接映射半导体产业链景气度的持续回升,A股科创芯片主线有望迎来资金聚焦。
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隔夜美股三大指数全线收涨,纳指涨1.30%,费城半导体(SOX)指数(SOX)大涨3.06%。消息面上,存储芯片(886042)巨头美光科技(MU)宣布计划2035年前在美国投资超过2500亿美元,较去年6月公布的2000亿美元目标大幅提升500亿美元,目标是将DRAM产量的40%放在美国本土生产。美光股价收涨4.52%,总市值达1.12万亿美元。与此同时,sk海力士(SKHYV)美国ADR发行获超七倍超额认购,韩国上市股票过去一年累计上涨约700%。全球存储芯片(886042)双雄同时释放强劲扩产信号,直接映射半导体(881121)产业链景气度的持续回升,A股科创芯片主线有望迎来资金聚焦。

一、存储超级周期确认:美光2500亿美元投资映射AI需求持续扩张

美光此次将投资计划从2000亿美元上调至2500亿美元,核心驱动力来自AI对高带宽存储(HBM)和DRAM的爆发式需求。据行业数据,HBM市场2025年规模已突破300亿美元,预计2028年将超过1000亿美元。sk海力士(SKHYV)本周ADR发行获机构投资者七倍超额认购,进一步印证全球资本对AI存储供应链核心企业的高度认可。从产业逻辑看,存储芯片(886042)扩产周期(883436)通常持续2-3年,投资规模的持续加码意味着存储芯片(886042)行业已进入新一轮上行周期(883436),且时间跨度有望超越市场预期。对A股而言,国内存储产业链正处于长鑫存储、长江存储两存上市预期升温的关键节点,海外龙头扩产动作将加速国内存储产业链的自主化进程。

二、国产替代加速兑现:科创板芯片企业迎来业绩验证期

隔夜美股芯片股全面上涨,ARM涨超9%,拉姆研究(LRCX)涨逾6%,超威半导体(AMD)涨超5%,产业链各环节均获资金追捧。映射到国内,半导体(881121)国产替代正从“预期驱动”转向“业绩验证”阶段。以中芯国际(HK0981)为代表的晶圆代工产能利用率持续回升,寒武纪(688256)海光信息(688041)等AI芯片设计企业订单饱满,中微公司(688012)拓荆科技(688072)等设备企业受益于扩产订单持续落地。根据兆易创新(HK3986)最新披露的业绩预告,上半年净利润同比预增约1099%,存储芯片(886042)量价齐升是核心驱动力。鼎龙股份(300054)上半年净利润同比预增63.96%-73.61%,半导体(881121)抛光液实现规模盈利。全志科技(300458)上半年净利润同比预增194.73%-219.55%,产品调价叠加新品量产拉动营收增长。多家半导体(881121)产业链公司业绩超预期,印证了国产替代正从主题催化走向业绩兑现。

三、科创板半导体弹性凸显:科创芯片指数高Beta属性受关注

科创芯片指数(000685)聚焦科创板半导体(881121)全产业链,涵盖存储、设备、设计、制造等环节,成分股中华虹公司、中芯国际(HK0981)寒武纪(688256)等权重股均具备高弹性特征。从近期行情看,科创芯片指数成分股在7月9日集体走强,寒武纪(688256)涨8.59%,澜起科技(HK6809)涨15.64%,中芯国际(HK0981)涨13.74%,华虹公司涨11.75%,中微公司(688012)涨11.49%。科创板20%涨跌幅限制赋予指数更高的价格弹性,在半导体(881121)景气上行周期(883436)中,科创芯片指数的Beta优势将更加显著。隔夜美股费城半导体(SOX)指数大涨3.06%的强势表现,为A股早盘科创芯片方向提供了明确的外部催化。

四、核心标的逐一拆解

寒武纪(688256):国产AI芯片龙头,思元系列AI加速卡在大模型推理和训练场景持续获得订单落地,2025年营收同比增长超200%,受益于国产算力替代和AI应用需求爆发,订单能见度较高。

澜起科技(HK6809):全球内存接口芯片龙头,DDR5世代产品渗透率持续提升,同时PCIe Retimer芯片切入AI服务器互联赛道,2025年营收同比增长超50%,深度受益于AI服务器对高速互联芯片的需求增长。

中芯国际(HK0981):国内晶圆代工龙头,先进制程产能持续扩张,受益于国产芯片设计公司转单趋势和成熟制程需求回暖,2025年产能利用率已回升至85%以上,业绩逐季改善趋势明确。

海光信息(688041):国产CPU+DCU双轮驱动,深算系列DCU产品在AI训练和推理场景持续获得客户验证,受益于国产算力替代和信创(886013)政策推进,2025年营收同比增长超60%,GPU产品线持续丰富。

佰维存储(688525):国产存储模组龙头,产品覆盖嵌入式存储、消费(883434)级SSD和工业级存储,受益于存储芯片(886042)涨价周期(883436)和国产替代需求,2025年营收同比增长超80%,与长鑫存储等国产原厂深度绑定。

中微公司(688012):国产半导体(881121)刻蚀设备龙头,CCP电容耦合刻蚀机已进入5nm以下先进制程产线,受益于国内晶圆厂扩产和存储芯片(886042)资本开支增加,在手订单充足,2025年营收同比增长超40%。

五、关注思路

三重逻辑共振:一是全球存储芯片(886042)进入超级周期(883436),美光2500亿美元投资计划、sk海力士(SKHYV)ADR超额认购印证AI存储需求持续扩张;二是国内半导体(881121)国产替代加速,从政策驱动转向业绩验证,兆易创新(HK3986)鼎龙股份(300054)全志科技(300458)等公司业绩超预期释放积极信号;三是科创芯片指数高Beta属性,在半导体(881121)景气上行周期(883436)中弹性更大。

科创芯片ETF易方达(589130)跟踪科创芯片指数(000685),聚焦科创板半导体(881121)全产业链,前十大权重涵盖寒武纪(688256)澜起科技(HK6809)中芯国际(HK0981)海光信息(688041)佰维存储(688525)中微公司(688012)、华虹公司、拓荆科技(688072)等核心标的。截至最新数据,该ETF规模约56亿元,年初至今涨幅约66.88%,近一月涨幅约38.92%,近一周涨幅约13.63%。隔夜美股芯片股强势表现为今日A股提供了明确的方向指引,投资者可重点关注科创芯片方向的联动机会。

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