赋能SiC大规模量产
KGD双芯片测试座并行测试
行业背景与产能瓶颈
随着电动汽车（EV）产业发展，碳化硅（SiC）已成为牵引逆变器（884304）的核心部件。但在实际量产中，行业正面临以下严峻挑战：
静态测试盲区：传统DC测试难以排查亚微米级缺陷，仅10%的对准偏差就会导致短路耐受时间（SCWT）缩短0.5 s。
微秒级生死线：SiC的短路存活时间仅为2至7 s，超时极易引发热失控或器件瞬间烧毁。
成本与标准双重施压：为消除2%至3%的现场故障，汽车行业强制要求动态测试；在裸晶（KGD）阶段提前筛选，更能避免高达3倍的封装沉没成本。
1500 UPH产能天花板：面对规模化量产（HVM）需求，上一代单芯片分选机受限于机械结构，产能上限仅约1500 UPH，亟需全新架构破局。
核心技术与破局方案
为打破这一产能瓶颈，联讯仪器（688808）PB6800引入了下一代高并行度双芯片架构与混合式转塔-轨道设计：
高并行双芯片架构：6工位并行的双芯片插座（Dual-die sockets）允许每次下压测试两颗芯片，测试吞吐量大幅提升，充分满足规模化量产需求。
混合式转塔-轨道设计：成功实现“工位解耦”——转塔专职快速上下料与分选，线性轨道负责驱动高速电气测试，确保芯片在测试前达到完全的热平衡。
极致硬连接（Hard-Docking）：测试机与分选机刚性对接，消除线缆环路，将交流杂散电感严格控制在40 nH以下，有效防止破坏性的电压过冲。
充氮防弧插座：采用密封的N2充气微环境提升击穿阈值，消除3000 V高压扫描测试中的电弧放电，保持干燥且无探针污染。
测试结果与产能飞跃
通过系统优化与周期解耦，全新的测试架构实现了质的飞跃：
基于0.7秒的测试时间，稳定实现了4000 UPH的超高吞吐量。
实现与多种载体（Wafer, Tape & Reel, Tray）的无缝集成，并可提供6个T&R输出。
高度集成了6面自动光学检测（AOI）及自动插座清洁、更换等功能，实现了全自动化的高效运转。
总结
双芯片插座使测试密度翻倍，硬连接将环路电感保持在40 nH以下，充氮微环境消除了高压放电，混合式设计成功隔离了机械瓶颈。这一系列创新打破了3000 UPH的产能壁垒，确立了4000 UPH的全新标准，为电动汽车牵引逆变器（884304），提供了一套稳定、满足零缺陷要求的SiC裸芯片量产筛选标准。
