7月22日，据财闻海外资讯，三星电子、SK海力士（SKHY）（SKHY.US）与美光科技（MU）（MU.US）三大存储芯片（886042）厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达（NVDA）（NVDA.US）下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。
三星已率先实现HBM4规模化量产，业内预估其良率接近70%，得益于1C工艺DRAM（年初良率稳定超80%）的持续带动，良率管控能力显著提升。
SK海力士（SKHY）虽未公布精确良率，但行业判断其已进入稳定区间。为巩固超半HBM市场份额，其正洽谈引进新生产设备，以优化工（850102）艺并扩大产能。
美光因产能基础相对薄弱，正加速推进良率爬坡与大规模设备投资，同步提升产出能力。
良率（合格芯片占比）直接决定交付量与盈利空间，是厂商攻坚核心。尽管此前通用DRAM短期利润反超，但其涨价空间已趋缓（一季度近翻倍、二季度30%–50%、三季度0%–20%），而HBM需求持续扩张、高毛利优势将重归主导。
业内人士表示：“三星抢先落地 HBM4 量产，良率提升带来的供货增量、利润增长已经在二季度财报中充分体现；下半年该趋势将延续，三大存储企业的良率竞争会进一步白热化。”
