近期，AI建设热潮引爆HBM需求，加剧内存缺货。三星存储业务部门已将2031年前约70%产能分配给长约订单(LTAs)，主要签约客户含英伟达（NVDA）(NVDA.US)、微软（MSFT）(MSFT.US)及谷歌（GOOG）等。然而，这些大型科技公司也无法取得合约约定的全部供货量，HBM抢货激烈推升现货价格。
据MegaGrid Supply数据，36GB的HBM3E产品现货售价为2100美元(约287万韩元)，相当于长期合同价格(50万至70万韩元)的四到五倍。准备量产的16层HBM4产品，通过现货市场购买交易价格高达3500美元(约480万韩元)。
供应压力正从HBM蔓延至一般DRAM。HBM4量产初期良率低于上一代HBM3E，制造耗用更多DRAM，叠加HBM生产吸收大量产能，进一步推升DRAM价格并恶化整体DRAM供应短缺。
三星电子和SK海力士（SKHY）(SKHY.US)正寻求产能扩张。三星设备解决方案部门管理层正评估最快从2027年开始将平泽园区晶圆代工产线S5转为存储生产线；SK海力士（SKHY）考虑与日本伙伴建立合资工厂，可能扩大与铠侠的合作。
价格上涨预计为两家公司带来创纪录盈利。分析师预计其第三季度盈利将创新高。市场预期三星电子第三季度营收达206.64万亿韩元、营业利润达116.38万亿韩元；SK海力士（SKHY）预计第三季度营收为101.76万亿韩元，比上一季度增长28.2%，营业利润为79.16万亿韩元，增长30.7%。韩国半导体（881121）产业协会执行董事安基铉指出，即使计划中的新工厂投产，也只能缓解而无法彻底消除芯片短缺。
