10月18日，国仪量子技术(合肥)股份有限公司自主研发的200kV场发射透射电镜TEM-F200在南京市2026年全国电子显微学学术年会上正式发布。据公司介绍，该产品信息分辨率达到0.1纳米，点分辨率达到0.25纳米，多项关键性能指标达到国际一流水平，并已具备量产交付能力。这标志着国产高端透射电镜从研制突破加快迈向产品化交付阶段。
长期以来，全球透射电镜市场由少数国际厂商占据，国内用户在设备采购、关键部件供应、维修维护、软件适配和应用服务等方面存在严重的外部依赖。高端透射电镜实现国产化，有助于提升科学仪器供应链的自主可控水平。
透射电镜是半导体（881121）、先进材料、新能源（850101）和生命科学等领域的关键分析工具，其利用高能电子束穿透样品，通过采集透射、散射和衍射电子进行成像，在原子尺度表征晶体结构、界面和缺陷。
在半导体（881121）领域，随着芯片结构不断复杂化，透射电镜在先进制程研发和芯片问题定位中的作用日益突出。芯片制造涉及多层薄膜、微小器件结构和复杂材料界面。透射电镜可对芯片截面进行高分辨成像，帮助研究人员观察晶体排列、薄膜厚度、界面质量以及位错、空洞、杂质等微观缺陷，并结合微区成分分析，为工艺验证、器件研发、失效分析和可靠性评估提供依据。
200kV级场发射透射电镜对电子枪、高压电源、电子光学、探测器和整机控制等多个系统的协同稳定性要求极高，长期是国际厂商的技术制高点。国仪量子团队通过自主研发，完成了从核心模组、控制分析软件、系统集成到整体优化的全流程。目前，产品信息分辨率优于0.1纳米，点分辨率达到0.25纳米，多项关键核心指标达到国际一流水平。
国仪量子研发人员在调试200kV场发射透射电镜TEM-F200
国仪量子董事长贺羽表示：“200kV透射电镜具有更高的加速电压，电子束动能更高、波长更短，相对低电压平台对一定厚度范围内的高密度样品穿透能力更强；在合适薄区样品和相应分析附件配合下，可以更好地支持半导体（881121）、先进材料等领域的高分辨成像、界面与缺陷分析以及纳米尺度微区成分分析。它的研发难点，不是简单提高加速电压，而是要实现高压电源、电子枪、电子光学、探测器、软件和整机控制等多个系统的稳定协同。经过持续攻关，TEM-F200已具备量产交付能力，并建立了全面的客户服务体系。”
中国仪器仪表（884192）学会分析仪器分会总干事吴爱华表示，200kV透射电镜可应用于材料研发、芯片微观结构与失效分析、生物医学和产品质量控制等科研与产业领域。国仪量子200kV场发射透射电镜的发布，将进一步丰富国内高端科学仪器供给，提升分析测试技术的自主保障能力。
国仪量子技术(合肥)股份有限公司成立于2016年，今年8月11日在上海证券交易所科创板上市，股票代码：688828。公司是全球少数具备扫描电镜、离子束双束电镜、透射电镜等电子显微镜全系列产品研发、制造和服务的电镜厂商之一，长期聚焦量子科技（885730）与高端科学仪器领域，已在场发射扫描电镜、200kV透射电镜、双束电镜等多类电子显微镜产品上实现关键核心技术自主可控。
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【责任编辑：张瑨瑄】
