伦敦，10月27日（Argus）—— 半导体（881121）制造商近期密集发布的公告凸显了数据中心电源应用对氮化镓（GaN）组件的持续强劲需求。
总部位于美国的Palomino Laboratories公司生产用于人工智能（885728）基础设施的互连产品。该公司上周表示，已收到一家超大规模客户的首份采购订单，订购用于光学互连应用的GaN MicroLED芯片。
Palomino表示，面向汽车显示照明市场的MicroLED正逐步达到商业应用水平，但该技术尚未针对光学互连应用进行优化，需要进行专门设计以实现高速数据传输。带宽、可靠性和效率性能需要根据客户的规格进行定制。Palomino预计将通过改进其纳米材料和MicroLED设计，为该超大规模客户提高输出功率和光纤耦合效率性能。
总部位于美国的半导体（881121）晶体管材（884064）料公司Atomera（ATOM）也在致力于开发用于射频和功率器件应用的GaN组件，并于上周与总部位于英国的IQE签署了合作协议。两家公司将合作优化Atomera（ATOM）的硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）晶圆，IQE将负责为代工厂和集成器件制造商客户生产这些晶圆。
德国芯片制造商英飞凌上周在英伟达（NVDA）GTC柏林开发者大会上强调了基于GaN的电源转换系统在数据中心中的作用，并宣布两家公司正在合作开发面向AI数据中心的800伏直流（VDC）电源架构。
英飞凌首席执行官约亨·哈内贝克表示："AI正在从根本上重塑我们对电源基础设施的要求，而半导体（881121）是解决这一挑战的核心。基于氮化镓的系统解决方案是实现下一代数据中心的关键推动力。"
随着AI基础设施规模的扩大，数据中心正在引入800VDC作为高密度计算的配电选项。与硅相比，GaN在功率器件中可实现高达1MHz的更高开关频率，且损耗更低。这反过来使制造商能够缩小磁性元件（881270）和无源器件的尺寸，以支持更高的功率密度和更紧凑的设备——在AI数据中心机架空间日益紧张的情况下，这是一项关键优势。英飞凌表示，GaN器件中的低导通损耗和开关损耗还有助于提高转换效率，即使在每个机架功率水平提升的情况下也能限制发热量。
总部位于马萨诸塞州的Vertical Semiconductor公司也在致力于推进用于AI数据中心的GaN技术，并已获得美国商务部高达7300万美元的资助，这是《芯片与科学法案》下四项新资金公告之一。该公司正在开发用于2.5MW AI数据中心服务器机架的垂直GaN组件，旨在将能耗降低30%，物理占地面积减少50%，并将浪费的电能转化为可部署的计算能力。
美国商务部表示，还向总部位于华盛顿的初创公司Helion提供了高达1.73亿美元的资助，以建立用于聚变发电应用的高压功率半导体（881121）的国内生产能力。总部位于马萨诸塞州的Commonwealth fusion（BMEA） Systems将获得高达8500万美元，用于开发电力电子领域的半导体（881121）；而英国工业矿物加工商Sibelco将获得高达5600万美元，用于开发半导体（881121）供应链中使用的超高纯石英的提纯和精加工技术。
