IT之家11月10日消息，Infineon(英飞凌)当地时间9日宣布，其成功率先在全规模半导体（881121）晶圆厂环境中将300mm(12英寸)碳化硅(SiC)晶圆加工为功率半导体（881121）器件。
这一创举基于奥地利Villach晶圆厂的现有硅(Si)半导体（881121）制造设备，显示了大尺寸碳化硅晶圆在商业化上的实际潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切合作规划12英寸SiC技术及量产时机，同时进一步推进其200mm SiC制造路线图。
此外，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂验证了其冷分片技术在12英寸SiC上的可行性。这一工艺可提升晶锭到晶圆工艺的效率，同时减少加工损耗。
