2025年6月13日，开源证券发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，存储行业跟踪报告-AI需求持续高景气，存储涨价仍在进行时。

　　报告具体内容如下：

　　核心观点:价格周期+AI产业趋势+关税多重共振，存储芯片价格有望持续上涨 据DRAMeXchange1数据，5/6月份DRAM和NAND价格维持涨势。供给端看，2025年以来各大存储厂商均发布减产计划，需求端看，海外云厂商资本开支维持较高水平，国内云厂商资本开支持续加码，持续饱满的算力需求将拉动存储市场持续扩容。此外，关税等外部环境亦对存储芯片价格产生了一定影响，综上我们认为在存储步入价格上行周期+AI产业趋势持续深化+关税的多重影响下，存储芯片价格有望持续上涨。 原厂减产叠加关税推动存储芯片价格持续上涨

DRAM和NAND闪存芯片的平均市场价格均呈现上涨趋势。DRAM方面，5月8GBDDR4内存颗粒的价格现已升至2.10美元，相比4月份的1.65美元上涨约27%，6月份DDR4维持涨势，据半导体产业纵横公众号数据，美光6月DDR4报价大幅跳涨50%，三星8GBDDR4的现货价格已达到4.8美元，明显高于3.3美元左右的平均现货价格，从现货市场看，近期DDR416Gb已涨价至6美元，超过DDR5同规格的5.8美元市场行情。同时韩国内存公司三星和SK海力士已明确通知客户停止DDR4的生产，据TrendForce数据，受DRAM主要供应商将逐渐收敛server和PCDDR4产出，加上美国关税导致买方提前备货等因素，第二季server与PCDDR4价格上涨，预期涨幅将分别季增18%～23%和13%～18%。NAND方面，5月用于记忆卡和USB的128GBNAND平均价格达2.92美元，较4月上涨4.84％。我们认为原厂减产叠加关税将推动存储价格持续上涨。

存力在AI产业链中至关重要，AI产业浪潮推动存储芯片需求提升

存储模组方面，存储模组是数据中心及服务器的关键组成部分，全球视角上看，海外云厂商资本开支维持较高水平，饱满的服务器需求有望推动存储模组市场持续扩容，从中国市场看来，国内云厂商资本开支持续加码，国内算力芯片出货量持续提升，国产存储模组有望迎来市场规模提升及国产化率提升的双击；GDDR方面，HBM采用TSV技术堆叠DRAMdie以大幅提升I/O数，再配合2.5D先进封装制程，在维持较低内存频率的同时达到更显著的总通道宽度提升，目前已广泛应用于各类算力芯片中；利基存储方面，随边缘端算力发展，NPU+3DRAM或成为产业趋势，此外AI端侧亦将拉动NorFlash等利基存储需求。

受益标的

（1）存储模组厂商：德明利（001309）、江波龙（301308）、佰维存储、香农芯创（300475）；（2）先进存储厂商：兆易创新（603986）、恒烁股份等；（3）边缘侧Nand/Norflash厂商：兆易创新、北京君正（300223）、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等。

风险提示：AI行业发展不及预期、下游需求不及预期。

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