2025年11月5日，华西证券（002926）发布了一篇先进封装（886009）行业的研究报告，报告指出，先进封装（886009）-英伟达（NVDA）、台积电（TSM）未来的材料之选。
报告具体内容如下：
根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达（NVDA）正计划在新一代GPU芯片的先进封装（886009）环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题 根据《高算力Chiplet的热管理技术研究进展》，集成电路发展受到“功耗墙”的严重制约。英伟达（NVDA）和AMD在追求算力大幅提升的情况下，不得不继续提高芯片功率。主流算力芯片基本标配CoWoS封装，尤其英伟达（NVDA）算力芯片全部使用CoWoS封装。因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。 SiC有望成为未来CoWoS发展中Interposer最优解
CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，Interposer当前与未来面临热管理、结构刚性等难题。根据北京大学、Nature等相关论文，当前的Si和玻璃（HK3300）在材料特性上不及SiC与金刚石，而金刚石仍难以匹配芯片制造工艺，因此我们判断，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoSinterposer的最适宜替代材料。
如CoWoS未来采用SiC，中国大陆SiC产业链有望重点受益
如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS28年后35%复合增长率和70%替换SiC来推演，则30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋，远超当前产能供给。而中国大陆SiC具备投资规模、生产成本、下游支持的三大优势，未来有望重点受益。
投资建议
虽然材料替换仍需产业和技术的进一步推进，但我们认为趋势上SiC有较大的可能获得一个全新巨大的增长机遇，SiC衬底与设备公司有望重点受益。
受益标的：晶盛机电（300316）、晶升股份（688478）、天岳先进（HK2631）、三安光电（600703）、通威股份（600438）、天富能源（600509）、华纬科技（001380）、宇晶股份（002943）等。
风险提示
新技术推进不及预期、行业竞争加剧、地缘政治风险等。
声明：本文引用第三方机构发布报告信息源，并不保证数据的实时性、准确性和完整性，数据仅供参考，据此交易，风险自担。
