2月11日，存储芯片（886042）板块再度调整，澜起科技（HK6809）（688008.SH）、东芯股份（688110）（688110.SH）、香农芯创（300475）（300475.SZ）跌超3%，通富微电（002156）（002156.SZ）、兆易创新（HK3986）（603986.SH）、江波龙（301308）（301308.SZ）、雷科防务（002413）（002413.SZ）等股价疲软。
消息方面，据报道，存储大厂SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。
与此同时，存储厂华邦电表示，DRAM短缺状况预计将持续，本季度内存价格预计将飙升90%至95%，而下季度的价格涨幅可能与本季度持平。
中芯国际（688981）联合首席执行官赵海军预测，接下来存储器产能会增加，厂商买设备快的能4个月拿到，慢的9个月也能拿到，9个月后就能看到晶圆前端生产产能增加。这些产能不能直接用来做AI数据中心所需的HBM，而是会马上投放到消费（883434）类产品上。这时中间通道商手里的囤货会释放出来，给到手机、电脑产品，或将在今年第三季度带来消费（883434）类产品包括中低端手机市场的反转。
国信证券（002736）最新研报认为，存储除需求量受AI需求拉动外，价格仍处于上涨周期（883436）中，TrendForce预计2026年DRAM产值将增长144%至4043亿美元，NAND Flash产值将增长112%至1473亿美元。
