消息称 HBM4 价格明年有望翻倍,产能瓶颈与长期合同加剧供应紧张

2026-07-13 07:14:07
来源:IT之家
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问财摘要

1、高带宽内存(HBM)的价格到2027年有望翻倍,下一代HBM4的价格有望升至每Gb4至5美元甚至更高,供应紧张的局面还因长期供货协议进一步加剧。 2、英伟达即将推出的Rubin AI架构正在加速HBM4的导入。 3、存储厂商将推动HBM维持更高的售价,以弥补转换产线带来的机会成本。资本市场方面,这种长期供不应求的格局预计将继续支撑存储板块股价表现。
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IT之家7月13日消息,受到人工智能(885728)需求激增与产能结构性瓶颈的双重推动,高带宽内存(HBM)的价格到2027年有望翻倍。

据 DigiTimes上周五报道,业内人士透露,下一代HBM4的价格有望升至每Gb4至5美元甚至更高,而2026年下半年的价格约为每Gb2美元。

此次价格上涨主要源于HBM4极其复杂的制造工艺。HBM4的生产周期(883436)长达4至6个月,而且初期良率明显低于成熟产品。此外,生产HBM所消耗的晶圆产能约为普通DDR5DRAM的三倍,这意味着在现有产能条件下,内存厂商能够生产的HBM数量受到严重限制。

供应紧张的局面还因长期供货协议进一步加剧。三星电子、SK海力士和美光等存储巨头,正通过与顶级AI客户签署为期3至5年的长期合同,提前锁定全球HBM产能。

DigiTimes认为,随着越来越多DRAM产能转向HBM,再加上长期合同占用,到2027年,全球约一半DRAM产能将无法向中小客户供应。

与此同时,英伟达(NVDA)即将推出的Rubin AI架构正在加速HBM4的导入。不过,存储厂商也面临新的利润取舍。

由于今年服务器DDR5内存价格持续上涨,部分厂商的DDR5利润率已超过80%,这使得内存制造商只有在HBM能够带来更高利润的情况下,才愿意将生产线从传统DRAM转向HBM。因此,他们也将推动HBM维持更高的售价,以弥补转换产线带来的机会成本。

资本市场方面,这种长期供不应求的格局预计将继续支撑存储板块股价表现。

SK海力士当天通过美国存托凭证(ADR)正式登陆纳斯达克(NDAQ),这是公司历史上首次在美国上市交易。本次发行规模高达265亿美元,且ADR的交易价格甚至高于其韩国首尔上市股票,显示投资者依然高度看好AI存储市场的发展前景。

AI热潮已经推动多家存储企业股价大幅上涨,其中:美光(Micron)累计上涨超过700%;闪存厂商闪迪(SNDK)(SanDisk)上涨超过3800%;SK海力士上涨超过630%;三星电子上涨超过360%。

IT之家注意到,尽管近期市场一度担忧科技巨头可能削减AI基础设施投资,但DigiTimes援引供应链消息称,进入2027年后,AI硬件整体仍将处于供不应求状态。

因此,预计存储厂商将在2026年底的新一轮供货合同谈判中继续掌握绝对的定价主动权,而没有提前签订长期供货协议的消费电子(881124)厂商,则可能面临严重的缺货风险。

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