8月11日，高盛（GS）科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出，市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为，HBM和DRAM订单已排期到2027年，长期协议设定了价格底线，这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。
空头则分析称，内存价格的“二阶导数”已经转负，意味着内存上涨的速度放缓，可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值，并在晚些时候转向小幅下跌。此外，内存行业高达80%的利润率正在促使客户重新设计其芯片，这可能影响内存的供需平衡。此前消息称英伟达（NVDA）正在评估降低Rubin Ultra的HBM堆叠和容量，可能也印证了空头的这一看法。SemiAnalysis测算称，英伟达（NVDA）可能将单机架HBM内存的成本占比从接近40%压缩至28%。
高盛（GS）表示，保守的投资者已经将内存的市盈率从5倍下调至2至3倍。内存价格上涨仍将持续至2027年中期，但稀缺性阶段已经过去。剩余的价格上涨空间取决于长期协议会否大量新增产能，以及HBM的产能增长是否会抵消DRAM/NAND产能的任何正常化趋势。
