沪硅产业李炜:硅光SOI晶圆明年将批量出货

2026-09-16 01:59:26
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问财摘要

1、沪硅产业常务副总裁李炜在第二十七届中国国际光电博览会上表示,硅光SOI晶圆已进入到爆发期,预计明年进入大批量出货期。硅光SOI晶圆和薄膜铌酸锂两条光引擎技术路线将在CPO互连中找到各自应用场景,实现协同发展。 2、硅光SOI晶圆市场需求井喷,沪硅产业已形成约30万片/年的300mm SOI晶圆产能,预计今年底将达到约40万片,并可开展定制化材料开发。沪硅产业是国内唯一获得Soitec相关SOI技术授权的企业,在SOI材料领域形成了较为突出的竞争优势。
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近日,第二十七届中国国际光电博览会在深圳举行,释放出光通信赛道全面景气信号。就市场硅光SOI晶圆需求猛增的情况,沪硅产业(688126)常务副总裁李炜在展会期间接受上海证券报记者专访时表示,沪硅产业(688126)已经直观感受到硅光产业需求的快速增长。

李炜表示,硅光SOI和薄膜铌酸锂两条光引擎技术路线,将在CPO(光电共封装)互连中找到各自应用场景,实现协同发展。二者的异质集成融合发展也成为产业界探索的新方向。

AI算力带动硅光SOI晶圆需求井喷

“去年大多数客户的月需求还是一两百片晶圆,今年大客户的需求量直接呈现阶跃式增长。”谈及硅光产业的新变化,李炜介绍,得益于AI算力需求持续高增长、光互连速率及互连架构持续升级迭代,硅光SOI晶圆已进入到爆发期。

以往,光通信主要应用于长距离传输,数据中心里机柜间、交换机间主要采用铜缆和可插拔光模块,完成数据传输。随着万卡集群等超大规模智算中心建设,AI算力的瓶颈从计算转向互连,铜互连在高频下信号衰减大、传输距离短、发热量高等瓶颈愈发凸显,传统的分立光器件体积大、成本高;光互连正好同时解决了高带宽、低功耗、高密度和低成本等问题,从而变成AI算力底座。

沪硅产业(688126)的硅光SOI晶圆预计明年进入大批量出货期。”李炜介绍,从需求端来看,随着800G、1.6T光模块以及未来更高速率产品持续发展,客户对于300mm(12英寸)硅光SOI晶圆的关注度明显提升,尤其是更加关注材料的稳定供应能力和批次一致性。

法国硅片大厂索泰克(Soitec)近日披露的信息证实了硅光SOI的高成长性。Soitec高管表示,硅光SOI晶圆今年营收保底可达到2亿美元。当前,Soitec正与硅光客户签订产能预留协议,已经确认的长期预留订单,2027年可释放的产能已被提前锁定。

从行业趋势来看,硅光光模块的渗透正在明显提速。根据LightCounting预测,2026年采用硅光调制器的光收发器销售额占比将首次超过50%,而2024年这一比例约为33%。

李炜介绍,除了数据中心和光通信场景外,未来硅光还有一些值得关注的应用场景方向,包括高速计算芯片之间的光互连、CPO、光学I/O(输入/输出),以及部分传感、激光雷达等应用。

构建半导体材料平台

“硅光SOI晶圆已是公司当前重点推进的产品方向之一,公司会结合当前市场需求变化和客户推进情况,将更多产能灵活调配到该产品线上。”李炜介绍,在SOI晶圆产能方面,目前公司旗下新傲芯翼已形成约30万片/年的300mm SOI晶圆产能,预计今年底将达到约40万片,并可针对不同硅光客户设计需求开展定制化材料开发。

需要提及的一点是,全球硅光SOI晶圆材料市场具有较高的技术和产业进入门槛,供应格局相对集中,新厂家难以在短期内形成产业化能力。

李炜介绍,除了材料性能和规模化制造能力门槛,SOI晶圆制造还涉及离子注入等核心工艺及相关专利体系壁垒;特别是300mm SOI晶圆对技术授权、工艺积累和产业化能力都有较高要求。沪硅产业(688126)是国内唯一获得Soitec相关SOI技术授权的企业,在长期SOI技术积累和产业化经验基础上,公司已逐步形成从200mm(8英寸)到300mm的完整SOI晶圆产品布局,并在SOI材料领域形成了较为突出的竞争优势。

记者了解到,硅光SOI晶圆向300mm平台演进是明确的发展方向。沪硅产业(688126)在SOI材料上已经深耕25年,其300mm硅光SOI晶圆产品已在多家客户处验证,进入小批量生产阶段。这意味着,公司已经从单纯的技术研发逐步向客户导入和产业化阶段迈进。随着后续客户认证进一步推进,公司现有300mm SOI平台为硅光产品未来规模放量提供了坚实的产能基础。

事实上,沪硅产业(688126)已经成长为一家平台型集成电路材料公司。公司立足硅基材料主业根基,坚持“硅基做强、多元拓展”的发展思路,一方面,持续夯实300mm硅片、SOI衬底等核心硅基材料的技术与产业化能力,筑牢公司基本盘;另一方面,依托产业资本与产业生态,布局光电子等下一代特色材料方向,通过内部培育、合作并购、建设生态三大发展路径,持续完善半导体材料(884091)产品矩阵。比如,公司旗下新硅聚合已经实现8英寸薄膜铌酸锂晶圆量产。

“光调制带宽到了单波400G以上,薄膜铌酸锂确实将更具优势。”李炜介绍,CPO光引擎的调制器分为硅光SOI、薄膜铌酸锂两条技术路线,硅光SOI已率先爆发,但在1.6T及3.2T光模块时代,硅光SOI与薄膜铌酸锂将呈现场景分层、长期并存与优势互补的发展格局:硅光SOI凭借极高的光电集成度与成熟工艺,在庞大且高密度的短距数据中心互连中仍将占据绝对的出货量主力;薄膜铌酸锂则依托超低损耗、高带宽优势在高端长距等特定场景获取份额。

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