巨头出手!玻璃基板,再传大消息利好

2026-09-27 21:45:36
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问财摘要

1、英伟达正在评估玻璃基板方案,并与德国设备商SCHMID等企业开展合作。希望韩国、日本等地的基板厂商在两年内完成玻璃基板开发,最快于2028年前落地。 2、玻璃基板成为近年来最火热的赛道之一,背后有三大应用场景,终极动力是AI算力竞赛。 3、英特尔、英伟达、台积电、三星、AMD等全球半导体巨头纷纷入局。 4、在面板级封装最卡点之一的电镀设备方面,盛美上海近日披露,公司于2022年率先布局水平式电镀技术,现已可支持应用于310×310毫米、510×515毫米及600×600毫米等面板尺寸。
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据《首尔经济日报》报道,英伟达(NVDA)正在评估玻璃基板(886111)方案,并与德国设备商SCHMID等企业开展合作。英伟达(NVDA)希望韩国、日本等地的基板厂商在两年内完成玻璃基板(886111)开发,最快于2028年前落地。

巨头纷纷入局下,玻璃基板(886111)有望迎来量产提速。

英伟达持续加码玻璃基板

据《首尔经济日报》报道,SCHMID在上半年财报说明会上表示,公司正与英特尔(INTC)、英伟达(NVDA)、AMD等的核心供应商合作,共同开发玻璃基板(886111)设备。当前,玻璃通孔(TGV)的金属化环节仍存在技术难点,客户认证尚未完成。

这意味着,继与台积电(TSM)合作面板级封装、与康宁(GLW)合作光互连产品后,英伟达(NVDA)开始着手从全产业链角度,在更上游设备领域解决玻璃基板(886111)“卡点”,加速量产化进程。

此前,英伟达(NVDA)CEO黄仁勋与韩国SK集团会长崔泰源会面,探讨的半导体(881121)合作之一即是玻璃基板(886111),力图打通韩系基板、材料供应链。

今年5月份,英伟达(NVDA)还与玻璃基板(886111)大厂康宁(GLW)达成一项多年期合作,英伟达(NVDA)将向康宁(GLW)投资最高27亿美元并获配认股权证。康宁(GLW)将在美国新建3座制造厂,扩大本土光学连接产品产能达10倍,专项服务超大规模AI数据中心。

英伟达(NVDA)持续和台积电(TSM)联合定义CoPoS玻璃面板封装,用于承载超大面板级封装、单封装塞入更多HBM,从而提升下一代GPU、CPO的带宽、降低封装翘曲、提升封装良率,目标是2028年至2029年实现量产落地。

吸引巨头布局的三大因素

早在2013年,英特尔(INTC)就开始做“用玻璃替代有机基板”的预研,2023年正式发布玻璃芯基板(Glass Core Substrate)先进封装(886009)路线图。当前,英特尔(INTC)仍未实现玻璃基板(886111)的全面量产。

英特尔(INTC)、英伟达(NVDA)、台积电(TSM)、三星、AMD等全球半导体(881121)巨头纷纷入局,玻璃基板(886111)成为近年来最火热的赛道之一,而这背后存在着三大应用场景,终极动力是AI算力竞赛。

首先,先进封装(886009)基板碰到天花板。英特尔(INTC)最早介入玻璃基板(886111)研发,源于其看到先进封装(886009)中使用的有机基板材料已经碰到物理极限。

随着Chiplet技术的发展,先进封装(886009)逐渐被视为一条先进制程之外的技术发展路径,但封装面积迅速扩大、芯片功耗大幅上升的背景下,ABF/BT有机材料受热膨胀、翘曲、层间错位等问题,已经逼近有机基板的物理极限。

玻璃基板(886111)是后摩尔时代先进封装(886009)的材料底座。与有机基板热膨胀系数(CTE)通常在10–20 ppm/℃不同,玻璃CTE可调整到3–9 ppm/℃,和硅的CTE(2.5–3 ppm/℃)接近,大尺寸封装下可减少芯粒间的应力,不易发生翘曲、图形畸变等,可大幅提升封装良率。

其次,面板级封装下的玻璃中介层机遇。巨头介入的另外一大推动力来自面板级封装的快速发展——AI芯片单颗面积越做越大,英伟达(NVDA)Blackwell封装面积约2739平方毫米,而下一代Rubin Ultra封装面积预计达到7470平方毫米,几乎相当于九个光罩面积。

此时,采用300毫米圆形晶圆做硅中介层时,边缘会产生大量的浪费,但510×515毫米矩形玻璃面板的利用率可超过75%,可显著降低大尺寸封装的材料成本。

由此,面板级封装(PLP)成为玻璃材料的另外一条应用路线:当封装尺寸持续放大后,玻璃中介层单位成本会显著优于硅中介层、ABF有机基板。

第三,高速光互连的玻璃光平台需求。AI算力芯片之后,高速互连成为玻璃材料的第三大发展动力。

在CPO(光电共封装)中,要实现更高的互连密度、更低的功耗、更高频信号传输性能,玻璃介电损耗比有机材料低一个数量级,串扰小、通道更长,成为更为优质的材料选项。

在ECTC 2025(IEEE第75届电子元件(881270)与技术会议)大会上,研究人员展示了直径6微米、纵横比超过15:1的玻璃通孔(TGV);佐治亚理工学院则实现了220GHz工作频率、插损仅0.3dB的堆叠玻璃器件,为未来光电混合封装提供实验依据。

另外,Micro LED(884095)、高速存储器件等,也有望成为玻璃材料的新应用场景。

技术仍不成熟

最大“卡点”是设备

英特尔(INTC)是最早把玻璃基板(886111)做成工程样的厂商,但也还没有全面实现量产。

业界消息显示,英特尔(INTC)除了正在持续推进EMIB嵌入式多芯片互连桥接先进封装(886009)技术之外,还正拓展Micro LED(884095)基板先进封装(886009)赛道,并传出与Micro LED(884095)厂商友达展开合作,共同开发CPO与高密度算力芯片整合方案。

产业巨头纷纷入场之下,产业技术加速突破已是大势所趋。

在9月22日的京东(JD)方年度活动IPC 2026开幕式上,京东(JD)方董事长陈炎顺表示,公司正准备投资半导体(881121)玻璃基板(886111)载板量产线。

沃格光电(603773)近日披露,玻璃基板(886111)凭借其优异的光学高透性与极低的高频介电损耗,结合TGV核心工艺,极大缩短了信号链路并降低了单比特功耗,行业内部分厂商在积极推进玻璃基在算力网络硬件基础设施的应用。公司在TGV玻璃基线路板业务领域深耕多年,正积极推进相关领域玻璃基产品开发和送样验证。

在面板级封装最卡点之一的电镀设备方面,盛美上海(688082)近日披露,公司于2022年率先布局水平式电镀技术,现已可支持应用于310×310毫米、510×515毫米及600×600毫米等面板尺寸。今年,公司已收获来自国内一家现有先进封装(886009)客户的首台510×515毫米面板级水平式电镀量产设备订单,计划于2027年第一季度交付。同时,公司还收获来自亚洲地区一家领先面板封装客户的一台310×310毫米面板级水平式电镀评估设备,将在今年内交付。

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