9月28日，据财闻海外资讯，三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源与英伟达（NVDA）(NVDA.US)CEO黄仁勋计划于28日18时在纽约韩国协会年度晚宴会面，距三人上次会面已约两个月。
HBM是本次会面主要关注点。AI加速器性能提升使HBM成决定英伟达（NVDA）下一代产品性能的核心零部件。三星与SK海力士（SKHY）(SKHY.US)正搭建联合研发HBM4E、HBM5等后续产品的合作框架，适应GPU与HBM协同设计模式转变。三星2月已实现HBM4大规模出货，5月向客户送出12层HBM4E样品，计划拓展定制化HBM业务；6月三星DS副会长全永铉与黄仁勋已探讨下一代HBM长期合作。
会面还可能涉及三星晶圆代工及先进封装（886009）优势业务，三星望切入AI芯片全链条生产。部分观察人士预计，合作范畴还可能延伸至芯片生产基地AI转型及机器人等实体AI领域。SK集团与英伟达（NVDA）合作已延伸至AI基础设施，SK电信计划基于英伟达（NVDA）平台建设最高2吉瓦规模AI工厂，计划2027年分阶段投入运营；三星同样和英伟达（NVDA）共建部署超5万颗英伟达（NVDA）GPU的巨型AI工厂。
保障内存供应链稳定对英伟达（NVDA）愈发关键，掌握英伟达（NVDA）中长期产品策略亦为三星、SK海力士（SKHY）决定HBM投资规模核心变量。本次会面大概率复盘已达成项目落地进度，并探讨更长远的规划。
