《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》正式发布

2026-09-28 16:39:36
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问财摘要

1、2026年9月28日,由中国电子科技集团公司第二研究所牵头制定的团体标准T/CASAS 073—2026《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》正式发布。该标准规定了碳化硅晶锭激光剥离设备的分类与标记、组成和功能、工作条件、加工对象、技术要求、证实方法、标志、包装、运输和贮存等内容,为设备的设计、制造、检验、验收及使用维护提供技术依据。 2、激光剥离设备采用多维度光束整形、焦点深度实时修正等技术,将激光精密加工工艺与晶体可控剥离工艺有机结合,兼容4-12英寸晶锭加工,可大幅降低晶体的切割损耗、提升加工效率、降低残余应力,尤其在大尺寸、薄晶圆的切片加工中优势显著。
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半导体--
第三代半导体--
先进封装--
半导体材料--
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2026年9月28日,由中国电子科技集团公司第二研究所牵头制定,遵循CASAS标准制定流程,经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程,团体标准T/CASAS 073—2026《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》正式发布。

T/CASAS 073—2026《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》规定了碳化硅(SiC)晶锭激光剥离设备的分类与标记、组成和功能、工作条件、加工对象、技术要求、证实方法、标志、包装、运输和贮存。

本文件对设备的设计、制造、检验、验收及使用维护提供技术依据。金刚石、氮化镓、氮化铝、氧化镓等材料激光剥离设备可参照使用。

【本文件主要起草单位】

中国电子科技集团公司第二研究所、河北同光半导体(881121)股份有限公司、北京中电科电子装备有限公司、广东国志激光技术有限公司、西湖仪器(杭州)技术有限公司、江苏第三代半导体(885908)研究院有限公司、深圳平湖实验室、南京大学、北京大学东莞光电研究院、山东大学、中国科学院西安光学精密机械研究所、西北工业大学、广州南砂晶圆半导体(881121)技术有限公司、山东芯光光电科技有限公司、北京晶飞半导体(881121)科技有限公司、北京第三代半导体(885908)产业技术创新战略联盟。

【本文件主要起草人】

胡北辰、张彩云、崔景光、李青璇、张志耀、郭东、张文斌、张红梅、刘东立、周国清、王映德、修向前、吴载炎、陈秋、王力锋、范志强、张木青、姚爽、韩世飞、刘峰江、陈秀芳、俞小英、邹兴、王荣堃、朱宏伟、杨兰芳、徐瑞鹏。

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中国电子科技集团公司第二研究所是国内电子行业唯一的综合性工艺研究所,是“国防科技工业军用微组装技术创新中心”、“国家第三代半导体(885908)技术创新中心(山西)”平台技术依托和主建单位。主营业务为半导体材料(884091)装备、微组装工艺装备、先进封装(886009)键合装备和智能制造系统解决方案,产品广泛应用于航空航天、船舶、兵器、核工业等国防军工和电子信息产业领域。

中国电科二所研制的激光剥离设备采用多维度光束整形、焦点深度实时修正等技术,将激光精密加工工艺与晶体可控剥离工艺有机结合,兼容4-12英寸晶锭加工,可大幅降低晶体的切割损耗、提升加工效率、降低残余应力,尤其在大尺寸、薄晶圆的切片加工中优势显著。

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