继今年8月收购中讯半导体（881121）(江苏)有限公司后，环保企业武汉天源（301127）持续加码布局半导体材料（884091）领域。
10月14日晚，武汉天源（301127）公告称，公司拟在楚雄高新区，投资建设年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目，项目计划总投资约5亿元，其中，自有资金约1亿元，银行贷款约4亿元。主要建设内容为6N/7N级高纯铟、磷化铟多晶生产线、办公楼及其他相关附属配套设施。
公开资料显示，武汉天源（301127）是一家集技术研发、项目投资、工程建设、装备制造、运营服务于一体的综合性环保能源（850101）企业。今年上半年，公司归母净利润同比下滑40.95%，业绩承压。
今年8月，为满足人工智能（885728）算力、800G/1.6T光模块及新一代光通信产业对化合物半导体材料（884091）的刚性需求，武汉天源（301127）完成了对中讯半导体（881121）(江苏)有限公司的收购，取得其60%控股权，标的公司主营磷化铟等化合物半导体（881121）衬底材料的研发、生产与销售，已具备单晶磷化铟等光电子半导体材料（884091）2—4英寸的生产技术条件。
10月14日晚，武汉天源（301127）公告显示，半导体（881121）新材料将作为公司未来重点发展方向，与原有环保、绿色能源（850101）业务形成周期（883436）互补，构建双轮驱动格局。
值得注意的是，武汉天源（301127）在公告中提示风险称，本次投资建设的生产基地主营高纯铟及磷化铟多晶的生产，原材料供应是项目成本的关键影响因素，供给稳定性与价格走势将直接影响项目生产成本。
其中，上游原料以粗铟为源头。粗铟系锌、铅等有色金属（1B0819）冶炼过程中伴生回收的矿产资源，其供给量与上游冶炼主金属产量高度联动，难以独立快速扩产，原料来源存在一定的结构性依赖。
若上游原料供应紧张、价格大幅上涨，将压缩项目盈利空间，进而对公司经营业绩及项目预期收益产生不利影响。
公司同时表示，磷化铟多晶制备、高纯铟提纯工艺技术门槛高，在工艺稳定、良率控制、规模化量产方面仍存在技术验证风险，当前公司暂无该项业务的自有技术和人员储备，暂不具备独立开展相关业务的技术基础。
此外，武汉天源（301127）强调，公司高纯铟及磷化铟多晶的生产业务尚处于发展初期，整体业务规模较小，目前尚无在手订单，尚未形成稳定、可持续的收入及盈利来源，短期内不会对公司经营业绩构成重大影响。
对于磷化铟市场情况，财通证券（601108）分析称，随着AI算力需求爆发，作为芯片衬底材料的磷化铟市场规模将持续扩大。具体来看，磷化铟衬底主要应用下游器件包括光模块器件、传感器（885946）件、射频器件，对应终端领域包括5G（885556）通信、数据中心、人工智能（885728）、无人驾驶（885736）、可穿戴设备等领域。
值得一提的是，财通证券（601108）表示，磷化铟生产需7N级以上高纯铟和高纯红磷，技术壁垒在于铟和磷原料的纯度。
